Trockenätzen bedeutet das Abtragen von Material, typischerweise die Übertragung eines mit der lithografischen Technik erzeugten Maskenmusters in eine darunterliegende Schicht. Dies geschieht durch den Beschuss des Materials mit Ionen, die Teile des Ausgangsmaterials der Oberfläche entfernen. Im Unterschied zu den vielen Chemikalien, die beim Nassätzen verwendet werden, ätzt der Trockenätzprozess typischerweise gerichtet oder anisotrop.
iX-factory hat nicht nur die modernste Ausrüstung und das Expertenwissen für das normale RIE (Reactive Ion Etching) von Nichtleitern wie Siliziumoxiden und Siliziumnitriden, sondern auch die neuesten Maschinen für das DRIE von Silizium und das DRIE von Glas, um Ihr spezielles Mikrofluidik oder MEMS Produkt herzustellen.
DRIE von Silizium
DRIE von Silizium (Deep Reactive Ion Etching) ist eine der Schlüsseltechniken der iX-factory. Mit dieser einzigartigen Technik ist iX-factory in der Lage tiefe, hochdichte Strukturen mit hohem Querschnittsverhältnis in Siliziumsubstraten herzustellen.
Anwendungen:
- Mikrofluidische Kanäle und Öffnungen
- MEMS (Schwingungssensoren, Mikro-Motoren usw.)
- MOEMS (optische Schalter, Spiegel usw.)
- Verbindungen von elektrischen Elementen und Glasstrukturen
Leistungsfähigkeit:
- Tiefen bis zu 800 µm.
- Through-wafer Ätzen.
- Mehrfache Tiefen.
- Halten auf Siliziumoxid oder -nitridmembranen.
- Kontrolle des Neigungswinkels der Seitenwände (Profilkontrolle).
- Querschnittsverhältnis 1:50.
- Ausgerichtetes Ätzen von Vorder- und Rückseite von Substraten.
Beispiele:
REM Bild DRIE geätzter Strukturen
DRIE von Glas
DRIE von Glassubstraten (Deep Reactive Ion Etching) gehört ebenfalls zu den Schlüsseltechnologien der iX-factory. Mit dieser einzigartigen Technik ist iX-factory in der Lage tiefe, anisotrope Strukturen mit hohem Aspektverhältnis in Glassubstraten herzustellen.
Anwendungen:
- Mikrofluidische Kanäle
- Spezial Wellenleiter
- Spezielle MEMS
Leistungsfähigkeit:
- Tiefen bis zu 60 µm.
- Mehrfache Tiefen.
- Positive Kegel.
- Sehr glatte Böden.
- Hohe Toleranz von Mikrokanälen und Wellenleitern.
- Ausgerichtetes Ätzen von Vorder- und Rückseite von Substraten.
Beispiele:
REM Bild DRIE geätzter Strukturen.
